积塔半导体请求深邃宽比铝刻蚀办法专利可确保深邃宽比铝刻蚀构成的铝金属互连层的线宽

发布日期:2024-11-23 作者: 小九直播nba免费观看全集/碳化塔

  专利摘要显现,本发明供给一种深邃宽比铝刻蚀办法,在刻蚀构成铝金属层时经过两步等离子体刻蚀完结:根据图形化的光刻胶层对铝层进行第一步等离子体刻蚀;第一步等离子体刻蚀的刻蚀气体为氯气及三氯化硼的混合气体、钝化气体为氮气;当第一步等离子体刻蚀的刻蚀速率下降在 25%以内时,对铝层及阻隔缓冲层进行第二步等离子体刻蚀;第二步等离子体刻蚀在坚持与第一步等离子体刻蚀的参数状况相同的前提下,在钝化气体中添加含碳氟元素的聚合物气体,且氮气的流量:含碳氟元素的聚合物气体的流量=1:(1~2)。该刻蚀办法可下降刻蚀气体对沟槽侧壁的侧蚀,削弱乃至防止侧蚀槽的构成,确保深邃宽比铝刻蚀构成的铝金属互连层的线宽,提高产品良率。

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